Le géant coréen vient de présenter son prochain SSD de 2,5 pouces. Doté d'une capacité allant de 120 Go à 1 To et avec un débit de plus de 500 Mo/s, le SSD 840 EVO a été développé en interne et utilisera une puce de mémoire Flash TLC.

Aujourd'hui, à l’occasion de son sommet mondial à Séoul, Samsung a dévoilé un nouveau SSD. La compagnie présente le 840 EVO comme étant un produit d'entrée de gamme destiné aux consommateurs, mais avec une capacité maximale de 1 To et des performances intéressantes. En effet, la vitesse d'écriture peut atteindre les 540 Mo/s et 520 Mo/s en écriture séquentielle. Côté technique, le 840 EVO est un SSD de 2,5 pouces sur une interface SATA 3 et il sera décliné avec différentes capacités allant de 120 Go à 1 To. Samsung remplace ici l'actuel SSD 840 tout en continuant d'utiliser la mémoire Triple Layer Cell (TLC). En passant à de la mémoire flash gravée à 19 nm et en développant une nouvelle gamme maison de contrôleurs, Samsung fait déjà évoluer ses SSD 840 et 840 pro lancés il y a moins d'un mois. La gamme EVO permet ainsi d'enregistrer jusqu'à 3 bits de données, contre 2 bits pour les MLC et seulement 1 bit pour les SLC.

La technologie TLC, déjà utilisée par quelques concurrents, permet d'abaisser le coût du Go, mais l'écriture de données 3 bits prend plus de temps. Les 840 EVO embarquent ainsi un capteur de température pour mesurer et diminuer ses performances en cas de surchauffe de la mémoire flash, au-delà de 70°C.

Malgré l'utilisation de puces TLC, le constructeur coréen tente de tirer vers le haut un produit d'entrée de gamme. Pour les versions 250 Go et plus, l'écriture séquentielle devrait atteindre les 520 Mo/s, contre 540 Mo/s en lecture. Le nombre de puces mémoires étant inférieur, Samsung annonce des performances dégressives en fonction de la capacité de ces produits. Pour les modèles 500 Go et 1 To, on approche les 98 000 IOPS en lecture et 90 000 IOPS en écriture. Pour le 250 Go, il faut tabler sur 97k / 66k et, enfin, 94k / 35k pour le 120 Go. Pour arriver aux rapports suivants, le constructeur passe par un contrôleur maison nouvelle génération, baptisé MEX. Il prend la relève du MDX, déjà présent sur la gamme 840, et fonctionne grâce à trois coeurs Cortex-R4 à 400 MHz.

TurboMemory

Afin d'optimiser la puissance de ses SSD, Samsung utilise une technologie de son crû, TurboWrite. Pour faire simple, l'idée est d'exploiter une partie de la mémoire disponible comme un cache. Le modèle 1 To dispose de 36 Go de mémoire destinés à cet usage. Ces derniers sont ramenés à 12 Go et le contrôleur n'écrit alors que 1 bit par cellule. Le traitement est donc plus rapide et les données sont par la suite recopiées sur les autres cellules du SSD en tâche de fond. On se rapproche ainsi des SSD SLC, mais ces données sont pour le moment théorique. Les puces TLC permettent avant tout à Samsung d'augmenter la capacité de ses produits et de proposer un SSD de 1 To bon marché. La gamme EVO sera disponible en août prochain sous divers kits : un standard, pour les PC portables, et un desktop. Concernant les tarifs, seuls ceux du marché américain sont connus. Il faudra compter 110 dollars (84 €) pour le modèle 120 Go et 650 dollars (495 €) pour la version 1 To

Les choses bougent aussi sur le segment des disques durs. Seagate s'apprêterait à sortir des disques de 5 et 6 To pour l'an prochain. Rapportée par Macbidouille, l'information montre que la société compte dépasser le record actuel de 4 To. Le marché des disques à très grande capacité est en pleine expansion, et ce grâce au développement des centres de données destinés au Cloud. "Il n'y aura plus que des SSD pour les systèmes frontaux, qui feront aussi office de cache, et de gros disques durs pour les données qui sont moins souvent consultées", rapporte le site.