La semaine dernière, l’inventeur et le vendeur n°1 de mémoire Flash NAND dans le monde, Toshiba, a annoncé qu’il allait commencer la construction d’une « clean room » ultra moderne, une salle blanche où la présence de poussières ou particules est limitée le plus possible pour la production de semi-conducteurs, sur son site de Mié (Toshiba Yokkaichi, exploité en partenariat avec SanDisk).
Ce site de production, baptisé « Fab 5 phase-2 », sera dédié à la production de mémoire Flash NAND de nouvelle génération et viendra compléter les 3 unités actuelles (ou « Fabs ») produisant actuellement des mémoires Flash NAND sur le site.
La construction de la Fab 5 phase 2 (la phase-1 est entrée en production durant l’été 2011) débutera au mois d’août et devrait s’achever durant l’été 2014. Toshiba a séparé son unité n°5 en 2 unités, afin de pouvoir répondre facilement à des baisses d’activité de la production de semi-conducteurs NAND. La nouvelle partie « phase-2 » a été également conçue pour économiser les ressources : éclairage LED de la salle blanche, réduction des dépenses énergétiques, limitation de la chaleur produite…
La Fab 5 phase-2 devrait ainsi réduire de 13 % ses émissions de dioxyde de carbone comparé à la Fab 4. De même, Toshiba a renforcé les mesures antisismiques et a mis au point un système de transport automatisé. La Fab 4 a une production mensuelle de 800 000 wafers par mois, et la Fab 5 devrait probablement avoir une production de mémoire Flash comparable.
Toshiba a annoncé au mois de mai produire dès à présent des Flash NAND de 2 bits par cellule, gravés en 19 nm de 64 Go. La Fab 5 phase-2 produira des mémoires NAND 2D nouvelle génération et surtout les futurs modèles dotés d’un empilement 3D des couches stockant les informations (« 3D NAND »), technologie dans laquelle le fondeur nippon est leader avec notamment son BiCS (Bit-Cost Scalable) multicouches.
Les NAND 3D sont censées être la nouvelle avancée dans le domaine des mémoires Flash pour terminaux portables, qui demandent toujours plus de Go et où la place est toujours trop limitée. Toshiba a expliqué que la décision de réaliser ses investissements colossaux et de démarrer la « phase-2 » de la Fab 5 provenait d’une demande de plus en plus importante pour des SSD pour ordinateurs, smartphones, tablettes, serveurs… De plus, les indicateurs du marché semblent indiquer que cette croissance de la demande continuera aussi bien sur le moyen que sur le long terme.
Il y a un an, en juillet 2012, Toshiba avait annoncé réduire sa production de Flash NAND de 30 pour cent, car une surproduction de ce type de mémoire lui faisait craindre un effondrement des prix. Mais en un mois et demi, des clients se plaignaient déjà de ne pouvoir acheter assez de puces mémoires. Le prix de la mémoire Flash qui baissait continuellement depuis des années est reparti à la hausse en 2013. Et cette hausse des prix associée à la baisse du cours du yen avait donné au premier fondeur de Flash NAND Toshiba un avantage sur ces 2 principaux concurrents coréens, SK Hynix et Samsung.
Ce site de production, baptisé « Fab 5 phase-2 », sera dédié à la production de mémoire Flash NAND de nouvelle génération et viendra compléter les 3 unités actuelles (ou « Fabs ») produisant actuellement des mémoires Flash NAND sur le site.
La construction de la Fab 5 phase 2 (la phase-1 est entrée en production durant l’été 2011) débutera au mois d’août et devrait s’achever durant l’été 2014. Toshiba a séparé son unité n°5 en 2 unités, afin de pouvoir répondre facilement à des baisses d’activité de la production de semi-conducteurs NAND. La nouvelle partie « phase-2 » a été également conçue pour économiser les ressources : éclairage LED de la salle blanche, réduction des dépenses énergétiques, limitation de la chaleur produite…
La Fab 5 phase-2 devrait ainsi réduire de 13 % ses émissions de dioxyde de carbone comparé à la Fab 4. De même, Toshiba a renforcé les mesures antisismiques et a mis au point un système de transport automatisé. La Fab 4 a une production mensuelle de 800 000 wafers par mois, et la Fab 5 devrait probablement avoir une production de mémoire Flash comparable.
Toshiba a annoncé au mois de mai produire dès à présent des Flash NAND de 2 bits par cellule, gravés en 19 nm de 64 Go. La Fab 5 phase-2 produira des mémoires NAND 2D nouvelle génération et surtout les futurs modèles dotés d’un empilement 3D des couches stockant les informations (« 3D NAND »), technologie dans laquelle le fondeur nippon est leader avec notamment son BiCS (Bit-Cost Scalable) multicouches.
Les NAND 3D sont censées être la nouvelle avancée dans le domaine des mémoires Flash pour terminaux portables, qui demandent toujours plus de Go et où la place est toujours trop limitée. Toshiba a expliqué que la décision de réaliser ses investissements colossaux et de démarrer la « phase-2 » de la Fab 5 provenait d’une demande de plus en plus importante pour des SSD pour ordinateurs, smartphones, tablettes, serveurs… De plus, les indicateurs du marché semblent indiquer que cette croissance de la demande continuera aussi bien sur le moyen que sur le long terme.
Il y a un an, en juillet 2012, Toshiba avait annoncé réduire sa production de Flash NAND de 30 pour cent, car une surproduction de ce type de mémoire lui faisait craindre un effondrement des prix. Mais en un mois et demi, des clients se plaignaient déjà de ne pouvoir acheter assez de puces mémoires. Le prix de la mémoire Flash qui baissait continuellement depuis des années est reparti à la hausse en 2013. Et cette hausse des prix associée à la baisse du cours du yen avait donné au premier fondeur de Flash NAND Toshiba un avantage sur ces 2 principaux concurrents coréens, SK Hynix et Samsung.
