Lors de la conférence ISSCC, Intel a dévoilé quelques informations sur les prochaines étapes clés de son process de fabrication. La dernière génération de processeurs, Broadwell, est gravée en 14 nm, contre 22 nm pour la génération précédente, Haswell. Cette gravure plus fine n’a pas été sans poser de problèmes de fabrication qui ont entraîné un retard de plusieurs mois.

Le fondeur s’est dit confiant dans sa capacité à passer au 10 nm sans embûche. Il a appris de ses erreurs et mis en place plus d'étapes de vérifications et des tests plus efficaces. Les processeurs gravés en 10 nm, qui promettent d’être plus économes à performances égales, arriveront fin 2016 ou début 2017, si tout se déroule bien, donc.

Intel a également évoqué l’étape d’après, à savoir le 7 nm. Il s’agira d’un palier particulièrement important, puisque le fondeur projette d’abandonner le silicium pour un autre matériau afin d’y parvenir. L’arséniure de gallium-indium (InGaAs) ou le Phosphure d'Indium (InP) font partie des prétendants, note Hardware.fr, mais Intel n’en a pas dit plus pour le moment. Le 7 nm pourrait également impliquer un changement de la forme des structures (c’est le procédé FinFET qui est employé actuellement).