Il y a quelques jours, Samsung annonçait avoir démarré la production de masse de sa RAM DDR4 de 16 et 32 Go. Cette mémoire performante est coûteuse. Destinée dans un premier temps aux Data Center, elle devrait apparaître dans les produits grand public un peu plus tard. Ces modules de DDR4 de 4 Gbits, gravés avec une finesse de classe 20 nm (20 à 29 nm) sont 1,25 fois plus rapides (2,667 Mb/s) que la DDR3 gravée en 20 nm. Cerise sur le silicium, elle offre une consommation électrique 30 % plus basse.

Avec l’arrivée d’Haswell-E - il faudra toutefois attendre la fin 2014 - la mémoire DDR4 devrait recevoir un renfort intéressant avec cette première plate-forme d’Intel apte à offrir une compatibilité avec ce type de mémoire…