Lors du récent Flash Memory Summit, Sony a annoncé sa volonté de commercialiser des puces ReRAM (Resistive Random-Access Memory ou « mémoire à résistance ») dès 2015. Rapides et économes en énergie, elles seront gravées en 20 nm et disponibles dans un premier temps dans une capacité de 16 Go.

Pour développer sa ReRAM, Sony s'est associé en 2011 à Micron, car il ne possédait pas de capacités de production pour de telles mémoires haut de gamme. Sony espère faire de cette technologie une « storage-class memory » comme le dit IBM, à la croisée de la mémoire RAM volatile et du stockage flash permanent.

La structure en croix de la ReRAM permet d’accroître plus facilement la densité de la mémoire, tout en garantissant une grande efficacité énergétique, une plus grande vitesse d'écriture, une taille réduite et une durée de vie accrue. Elle pourrait donc remplacer aussi bien la DRAM que la flash des SSD (lire : Panasonic se lance résolument dans la ReRAM).